MOSFET STMicroelectronics, canale Canale N 100 V, 1.9 mΩ Modalità di potenziamento, 302 A, 7 Pin, PowerLeaded,

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

4960,00 €

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Codice RS:
834-674
Codice costruttore:
STK295N10F8AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

302A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerLeaded

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.3mm

Standard/Approvazioni

ROHS

Larghezza

10mm

Lunghezza

10.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza di STMicroelectronics è un dispositivo a canale N ad alte prestazioni progettato per l'efficienza nelle applicazioni automobilistiche. È dotato di una bassa resistenza in stato attivo, il che lo rende adatto per ambienti difficili.

la tensione nominale drain-source di 100 V garantisce prestazioni affidabili

la resistenza massima in stato attivo di 1,9 mΩ contribuisce all'efficienza energetica

La capacità di corrente continua 302 A supporta le applicazioni per impieghi pesanti

Certificazione AEC-Q101 per rigorosi standard automobilistici

Progettato per prestazioni ottimali fino a 175 °C

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