MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 1200 V, 1.65 mΩ Modalità di potenziamento, 6 A, 3 Pin, H2PAK-2,

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Codice RS:
800-461
Codice costruttore:
STH8N120K5-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

H2PAK-2

Serie

STH285N10F8-6AG

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.65mΩ

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Dissipazione di potenza massima Pd

165W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

ECOPACK

Lunghezza

10.4mm

Altezza

15.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione di STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza in stato attivo e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) x area più bassa del settore

La migliore cifra di merito (FoM) del settore

Carica gate ultrabassa

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Protezione Zener

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