MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N, 1.65 Ω 1200 V, 6 A Modalità di potenziamento, H2PAK-2, Montaggio

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Codice RS:
814-401
Codice costruttore:
ST2H8N120K5AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

H2PAK-2

Serie

MDmesh K5

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.65Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

165W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.98mm

Altezza

15.55mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.98mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics offre prestazioni ad alta tensione affidabili per le applicazioni più impegnative, garantendo un'efficienza e una densità di potenza ottimali in ambienti automobilistici.

Qualità automobilistica, certificazione AEC-Q101 per una maggiore affidabilità

Carica di gate ultrabassa e valore di merito molto basso per ridurre la perdita di potenza

Tensione massima drain-source 1200 V con una corrente di drenaggio massima di 6 A

Progettato con la tecnologia Advanced MDmesh K5 per prestazioni termiche superiori

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