Modalità di potenziamento MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N, 2.3 mΩ 80 V, 181 A N, PowerFLAT, Montaggio
- Codice RS:
- 898-600
- Codice costruttore:
- STL180N8F8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 898-600
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- STL180N8F8
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 181A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.3mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 167W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 85nC | |
| Configurazione transistor | Modalità di potenziamento | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5.8mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | ECOPACK2 | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 181A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.3mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 167W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 85nC | ||
Configurazione transistor Modalità di potenziamento | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5.8mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni ECOPACK2 | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza in modalità di potenziamento a canale N di STMicroelectronics è progettato con la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura a gate a trincea migliorata. Garantisce una figura di merito all'avanguardia per una resistenza in stato attivo molto bassa, riducendo al contempo le capacità interne e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
Grado MSL1
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Bassa carica del gate
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