MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 60 V, 4.8 mΩ Modalità di potenziamento, 96 A, 8 Pin, PowerFLAT,
- Codice RS:
- 800-463
- Codice costruttore:
- STL130N6LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
0,42 €
(IVA esclusa)
0,51 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 300 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 5999 | 0,42 € |
| 6000 - 8999 | 0,41 € |
| 9000 + | 0,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 800-463
- Codice costruttore:
- STL130N6LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 96A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.8mΩ | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 93W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Larghezza | 5mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | ECOPACK | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 96A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.8mΩ | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 93W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6mm | ||
Larghezza 5mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni ECOPACK | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura a trincea migliorata che si traduce in una resistenza allo stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
Tra i RDS(on) più bassi sul mercato
Eccellente FoM (figura di merito)
Basso rapporto Crss/Ciss per l'immunità EMI
Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga
Livello logico VGS(th)
Link consigliati
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.9 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.9 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin Foro
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.65 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 37 mΩ Modalità di potenziamento 4 Pin
- Mosfet a canale N in modalità di potenziamento MOSFET DiodesZetex 44.5 A 1200 V Foro passante
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 20 A 60 V, TDSON
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N 20 A 60 V
- MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello normale a doppio canale N 16 A 100 V, SuperSO8 5 x