MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 37 mΩ Modalità di potenziamento, 58 A, 4 Pin, PG-TO-247,

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Codice RS:
800-466
Codice costruttore:
STW65N040M9-4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TO-247

Serie

STH285N10F8-6AG

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

37mΩ

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Dissipazione di potenza massima Pd

321W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

21.1mm

Larghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

ECOPACK

Lunghezza

15.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media/alta tensione con RDS(on) molto basso per area.

FOM molto basso (RDS(on)·Qg)

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Facile da azionare

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di alimentazione supplementare

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