MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 37 mΩ Modalità di potenziamento, 58 A, 4 Pin, PG-TO-247,
- Codice RS:
- 800-466
- Codice costruttore:
- STW65N040M9-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 800-466
- Codice costruttore:
- STW65N040M9-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
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Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 58A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-TO-247 | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 37mΩ | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 321W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.1mm | |
| Standard/Approvazioni | ECOPACK | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 58A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-TO-247 | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 37mΩ | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 321W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.1mm | ||
Standard/Approvazioni ECOPACK | ||
Altezza 21.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media/alta tensione con RDS(on) molto basso per area.
FOM molto basso (RDS(on)·Qg)
Maggiore capacità dv/dt
Eccellenti prestazioni di commutazione
Facile da azionare
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di alimentazione supplementare
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