MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N, canale Tipo N, 20 A 60 V, TDSON

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3879
Codice costruttore:
IPG20N06S4L11ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TDSON

Serie

IPG20N06S4L-11

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS T2 è un doppio Super S08 in grado di sostituire più DPAK per un notevole risparmio di area su circuito stampato e una riduzione dei costi a livello di sistema. Il tampone esposto fornisce un eccellente trasferimento termico, due MOSFET a canale N in un unico contenitore con 2 telai isolati.

Livello logico a canale N doppio - modalità di potenziamento

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Temperatura d'esercizio 175 °C

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Testato al 100% a valanga

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