2 MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N, canale Tipo N, 20 A 60 V, SuperSO8 5 x

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Codice RS:
249-6919
Codice costruttore:
IPG20N06S4L26ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOSTM-T2

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Numero pin

8

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

33W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Configurazione transistor

Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon OptiMOS è un MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche. Il canale di funzionamento è N. È qualificato AEC Q101. MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco. Prodotto verde (conforme a RoHS) ed è testato al 100% a valanga.

Temperatura d'esercizio 175 °C

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