MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello normale a doppio canale N, canale Tipo N, 16 A 100 V, SuperSO8 5 x

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

3,56 €

(IVA esclusa)

4,345 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 14.920 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 450,712 €3,56 €
50 - 1200,634 €3,17 €
125 - 2450,598 €2,99 €
250 - 4950,556 €2,78 €
500 +0,51 €2,55 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
243-9342
Codice costruttore:
IPG16N10S461ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPG16N10S4-61

Numero pin

8

Modalità canale

Doppio N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Modalità di potenziamento del livello normale a doppio canale N

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon ha un MOSFET a doppio canale N di livello normale-Logic Level, qualificato AEC Q101 e testato per rilevare al 100% l'effetto valanga

Canale N

100% testato a valanga

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260°C di picco di rifusione

175°C di temperatura di esercizio

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

Link consigliati