2 MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N, canale N, 11.2 mΩ, 20 A 60 V, TDSON,
- Codice RS:
- 214-9062
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
15,20 €
(IVA esclusa)
18,50 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,52 € | 15,20 € |
| 50 - 90 | 1,445 € | 14,45 € |
| 100 - 240 | 1,383 € | 13,83 € |
| 250 - 490 | 1,323 € | 13,23 € |
| 500 + | 1,231 € | 12,31 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9062
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 41nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 65W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N | |
| Larghezza | 5.9mm | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 65W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Modalità di potenziamento del livello logico a doppio canale N | ||
Larghezza 5.9mm | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
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