2 MOSFET Infineon Modalità di potenziamento, canale Tipo N, 8.2 mΩ, 20 A 40 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9060
Codice costruttore:
IPG20N04S4L08AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

54W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±16 V

Configurazione transistor

Modalità di potenziamento

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.9 mm

Lunghezza

5.15mm

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

La gamma Infineon di nuovi OptiMOS -T2 offre una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS -T2 amplia le famiglie esistenti di OptiMOS -T e OptiMOS. La modalità Dual N-Channel Logic Level - Enhancement (livello logico - miglioramento doppio canale N) è possibile per l'ispezione ottica automatica (AOI). I prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono progettati per soddisfare e superare i requisiti di efficienza energetica e densità di potenza.

Il prodotto è certificato AEC Q101

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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