MOSFET Infineon, canale N, 0,0082 O, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

Codice RS:: 214-9059
Codice costruttore:: IPG20N04S4L08AATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0082 O, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,385 €

(IVA esclusa)

0,47 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,385 €	1.925,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 214-9059
Codice costruttore:: IPG20N04S4L08AATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPG20N04S4L08AATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SuperSO8 5 x 6 doppio
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0082 O
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si

MOSFET Infineon, canale N, 0,0082 O, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

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