MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 15,2 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-7500
Codice costruttore:: BSC900N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 15,2 A, TDSON, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,739 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,739 €	3.695,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7500
Codice costruttore:: BSC900N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC900N20NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	15,2 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	62,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	9 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.35mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 15,2 A, TDSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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