MOSFET di potenza Infineon, canale N 150 V, 15.2 mΩ Miglioramento, 55 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie BSC152N15LS5ATMA1
- Codice RS:
- 349-398
- Codice costruttore:
- BSC152N15LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-398
- Codice costruttore:
- BSC152N15LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo di package | PG-TDSON-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 23nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo di package PG-TDSON-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 23nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 150 V, corrente di drenaggio continua 55 A - BSC152N15LS5ATMA1
Questo MOSFET di potenza è un transistor a canale N ad alta tensione progettato per ruoli di commutazione e conversione di potenza in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature, consentendo l'uso in ambienti difficili, ed è costruito per soddisfare gli standard ambientali del settore, fornendo al contempo funzionalità di commutazione primaria per applicazioni ad alta corrente.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source 150 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 55 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Rds(on) di 15.2 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica di 23 nC consente transizioni gate veloci
• La dissipazione di potenza di 96 W mantiene la capacità di gestione termica
• Il pacchetto superficiale PG-TDSON-8 facilita i layout compatti del circuito stampato
• La corrente continua di 55 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• Rds(on) di 15.2 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica di 23 nC consente transizioni gate veloci
• La dissipazione di potenza di 96 W mantiene la capacità di gestione termica
• Il pacchetto superficiale PG-TDSON-8 facilita i layout compatti del circuito stampato
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC negli alimentatori
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato con azionamenti per motori elettrici di media potenza
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di ricarica
• Adatto per la commutazione ad alta corrente per impieghi generici
• Ideale per la rettifica sincrona nei convertitori
• Utilizzato con azionamenti per motori elettrici di media potenza
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di ricarica
• Adatto per la commutazione ad alta corrente per impieghi generici
Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare per un funzionamento sicuro?
La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V per evitare di danneggiare il dielettrico gate.
Come si comporta il componente a temperature estreme?
È specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo il funzionamento sia in condizioni di avvio a freddo che a temperatura elevata senza ridurre la capacità di commutazione di base.
Quali considerazioni di montaggio si applicano alle prestazioni termiche?
Essendo un dispositivo a montaggio superficiale PG-TDSON-8, richiede un'adeguata rame per circuito stampato e vie termiche per dissipare fino a 96 W in condizioni specifiche.
Il dispositivo è adatto per l'adozione nel settore automobilistico?
Non è classificato come di livello automobilistico, pertanto l'uso nei sistemi dei veicoli deve considerare ulteriori fasi di qualificazione.
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