MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 10.4 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC104N12LM6ATMA1

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Codice RS:
285-049
Codice costruttore:
ISC104N12LM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza di prim'ordine progettato per applicazioni ad alta efficienza. Con le sue caratteristiche avanzate di livello logico del canale N, eccellono nel fornire una resistenza di accensione molto bassa, garantendo un risparmio energetico ottimale durante il funzionamento. L'innovativo package SuperSO8 migliora la gestione termica, rendendolo ideale per le attività di commutazione ad alta frequenza. Questo stato del componente ART vanta eccellenti prestazioni di carica del gate, riducendo significativamente le perdite che si verificano tipicamente in dispositivi meno sofisticati. Inoltre, la conformità alle normative RoHS e di assenza di alogeni garantisce l'impegno per una tecnologia rispettosa dell'ambiente.

Tecnologia a canale N per prestazioni superiori

La bassa resistenza di accensione riduce la perdita di potenza

Progettato per la commutazione ad alta frequenza

Conforme agli standard industriali di affidabilità

Privo di RoHS e di alogeni per un maggiore rispetto dell'ambiente

Gestisce un'elevata energia delle valanghe per una maggiore robustezza

Ottimizzato per il raddrizzamento sincrono

Caratteristiche termiche migliorate per una migliore dissipazione del calore

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