MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 32 mΩ Miglioramento, 24 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC320N12LM6ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

8,34 €

(IVA esclusa)

10,17 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4970 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,834 €8,34 €
100 - 2400,792 €7,92 €
250 - 4900,734 €7,34 €
500 - 9900,676 €6,76 €
1000 +0,651 €6,51 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
349-151
Codice costruttore:
ISC320N12LM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.1nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, a livello logico, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)) molto bassa, che riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza energetica. Il transistor offre un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), migliorando le prestazioni di commutazione. Con una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riduce al minimo le perdite di commutazione, rendendolo ideale per le applicazioni a commutazione rapida. Inoltre, ha un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, che garantisce la robustezza in condizioni transitorie. Inoltre, il MOSFET funziona a una temperatura di 175 °C, garantendo un'elevata resistenza termica per le applicazioni più esigenti.

Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

Link consigliati