1 MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, PG-TDSON-8 FL, Superficie Miglioramento, 8 Pin ISC037N12NM6ATMA1

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
285-045
Codice costruttore:
ISC037N12NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-TDSON-8 FL

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza a canale N ad alte prestazioni che offre efficienza e affidabilità eccezionali per un'ampia gamma di applicazioni. Caratterizzato da caratteristiche termiche innovative, questo componente eccelle in ambienti difficili con temperature che raggiungono i 175°C. Costruito utilizzando la tecnologia OptiMOS all'avanguardia, garantisce perdite di energia minime e capacità di commutazione migliorate, il che lo rende ideale per le applicazioni ad alta frequenza. Sia che venga utilizzato in ambienti industriali o per il raddrizzamento sincrono, questo dispositivo è conforme alla severa normativa RoHS, che lo rende conforme ai moderni standard ambientali.

Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza

Placcatura al piombo senza Pb per la conformità

MSL 1 classificato per affidabilità

La bassa carica di recupero inversa migliora l'efficienza

Alto indice di energia da valanga per la protezione

L'eccellente carica di gate riduce le perdite di pilotaggio

Link consigliati