MOSFET Infineon, canale N 120 V, 7.3 mΩ Miglioramento, 86 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC073N12LM6ATMA1
- Codice RS:
- 285-047
- Codice costruttore:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
5935,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,187 € | 5.935,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 285-047
- Codice costruttore:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 86A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Tipo di package | PG-TDSON-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 86A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Tipo di package PG-TDSON-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza avanzato a canale N che eccellente nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Progettato con l'innovativa tecnologia OptiMOS 6, offre efficienza e prestazioni eccezionali. Con una bassa resistenza di accensione e un'elevata energia di valanga, questo componente è ottimizzato per le applicazioni industriali più esigenti e garantisce un funzionamento affidabile anche in ambienti termici difficili. Il contenitore Compact PG TDSON 8 ne migliora ulteriormente l'usabilità, rendendo semplice l'integrazione in vari progetti. Il transistor funziona senza problemi in un'ampia gamma di temperature, facilitando la versatilità in numerose applicazioni.
Design a N canali per prestazioni migliori
Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza
La bassa resistenza aumenta l'efficienza energetica
L'elevata classificazione antivalanghe garantisce l'affidabilità
Il pacchetto compatto consente di risparmiare spazio nella progettazione
Conformi alla direttiva RoHS per la sostenibilità
MSL 1 per saldare facilmente
Il diodo interno al corpo migliora la funzionalità
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