MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 7.3 mΩ Miglioramento, 86 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC073N12LM6ATMA1

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Codice RS:
285-047
Codice costruttore:
ISC073N12LM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo di package

PG-TDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza avanzato a canale N che eccellente nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Progettato con l'innovativa tecnologia OptiMOS 6, offre efficienza e prestazioni eccezionali. Con una bassa resistenza di accensione e un'elevata energia di valanga, questo componente è ottimizzato per le applicazioni industriali più esigenti e garantisce un funzionamento affidabile anche in ambienti termici difficili. Il contenitore Compact PG TDSON 8 ne migliora ulteriormente l'usabilità, rendendo semplice l'integrazione in vari progetti. Il transistor funziona senza problemi in un'ampia gamma di temperature, facilitando la versatilità in numerose applicazioni.

Design a N canali per prestazioni migliori

Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza

La bassa resistenza aumenta l'efficienza energetica

L'elevata classificazione antivalanghe garantisce l'affidabilità

Il pacchetto compatto consente di risparmiare spazio nella progettazione

Conformi alla direttiva RoHS per la sostenibilità

MSL 1 per saldare facilmente

Il diodo interno al corpo migliora la funzionalità

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