MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 11 mΩ Miglioramento, 62 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC110N12NM6ATMA1

Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)) molto bassa, che riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza energetica. Il transistor offre un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), migliorando le prestazioni di commutazione. Con una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riduce al minimo le perdite di commutazione, rendendolo ideale per le applicazioni a commutazione rapida. Inoltre, ha un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, che garantisce la robustezza in condizioni transitorie. Inoltre, il MOSFET funziona a una temperatura di 175 °C, garantendo un'elevata resistenza termica per le applicazioni più esigenti.

Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono