MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 11 mΩ Miglioramento, 62 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC110N12NM6ATMA1

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Codice RS:
349-146
Codice costruttore:
ISC110N12NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.4nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)) molto bassa, che riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza energetica. Il transistor offre un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), migliorando le prestazioni di commutazione. Con una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riduce al minimo le perdite di commutazione, rendendolo ideale per le applicazioni a commutazione rapida. Inoltre, ha un elevato valore nominale di prevenzione delle scariche disruptive a valanga, che garantisce la robustezza in condizioni transitorie. Inoltre, il MOSFET funziona a una temperatura di 175 °C, garantendo un'elevata resistenza termica per le applicazioni più esigenti.

Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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