Transistor di potenza Infineon, canale N 120 V, 3.2 mΩ Miglioramento, 170 A, 8 Pin, PG-TDSON-8 FL, Superficie

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Codice RS:
349-139
Codice costruttore:
ISC032N12LM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

PG-TDSON-8 FL

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

211W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, a livello logico, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce le perdite di conduzione e migliora le prestazioni. Il transistor vanta un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), garantendo caratteristiche di commutazione ottimali. Inoltre, offre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riducendo al minimo le perdite di commutazione.

Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

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