Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 120 V, 3.2 mΩ Miglioramento, 170 A, 8 Pin, PG-TDSON-8 FL, Superficie
- Codice RS:
- 349-139
- Codice costruttore:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
8,72 €
(IVA esclusa)
10,64 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,36 € | 8,72 € |
| 20 - 198 | 3,93 € | 7,86 € |
| 200 - 998 | 3,62 € | 7,24 € |
| 1000 - 1998 | 3,365 € | 6,73 € |
| 2000 + | 3,01 € | 6,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-139
- Codice costruttore:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 170A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 120V | |
| Tipo di package | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 211W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 170A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V | ||
Tipo di package PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 211W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, a livello logico, progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce le perdite di conduzione e migliora le prestazioni. Il transistor vanta un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), garantendo caratteristiche di commutazione ottimali. Inoltre, offre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riducendo al minimo le perdite di commutazione.
Dispositivo ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e il raddrizzamento sincrono
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020
Link consigliati
- Transistor di potenza Infineon 15.1 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- 1 MOSFET Infineon PG-TDSON-8 FL 8 Pin ISC037N12NM6ATMA1
- MOSFET Infineon 275 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 1.55 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie ISC025N08NM5LF2ATMA1
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ 8 Pin Superficie ISC019N04NM5ATMA1
- Transistor di potenza Infineon 0.42 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- Transistor di potenza Infineon 4.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- IGBT PG-TDSON-8