Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 200 V, 15.1 mΩ Miglioramento, 74 A, 8 Pin, PG-TDSON-8 FL, Superficie

Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo presenta una resistenza di accensione molto bassa (RDS(on)), che contribuisce a ridurre al minimo le perdite di conduzione e a migliorare l'efficienza del sistema. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), questo transistor garantisce prestazioni di commutazione ottimizzate. Offre inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza complessiva nei circuiti a commutazione rapida. Progettato per funzionare a una temperatura di 175 °C, garantisce un'elevata affidabilità in ambienti difficili e offre prestazioni termiche superiori per un funzionamento robusto.

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS