Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.42 mΩ Miglioramento, 541 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie

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Codice RS:
349-391
Codice costruttore:
ISCH42N04LM7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

541A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

ISC

Tipo di package

PG-TDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

234W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 7 Infineon da 40 V, canale N è un MOSFET ad alte prestazioni progettato per offrire un'eccezionale efficienza e affidabilità nelle applicazioni di commutazione di potenza. Caratterizzato da un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), contribuisce a ridurre al minimo le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del sistema. La sua superiore resistenza termica garantisce un'efficace dissipazione del calore, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta potenza. Inoltre, è testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga, fornendo una solida protezione contro gli eventi transitori e garantendo prestazioni stabili anche in condizioni difficili.

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

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