MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 24 mΩ Miglioramento, -59 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC240P06LMATMA1
- Codice RS:
- 285-051
- Codice costruttore:
- ISC240P06LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 285-051
- Codice costruttore:
- ISC240P06LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -59A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -59A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un MOSFET a canale P all'avanguardia, progettato per offrire prestazioni eccezionali nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione. Caratterizzato da una tensione nominale di 60 V, eccelle per le sue caratteristiche di alta efficienza e bassa resistenza, garantendo una perdita di potenza minima durante il funzionamento. Il suo design robusto è testato al 100% contro le valanghe e garantisce la massima tranquillità ai tecnici che cercano soluzioni affidabili in ambienti difficili. Il transistor funziona a livello logico, rendendolo adatto a diversi scenari di controllo nelle applicazioni industriali.
Stampato ad iniezione per la gestione termica
Convalidato secondo gli standard JEDEC per l'affidabilità
Conformi alla direttiva RoHS per il rispetto dell'ambiente
Materiali privi di alogeni per la sostenibilità
Ottimizzato per l'efficienza di commutazione ad alta velocità
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