MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 75 mΩ Miglioramento, -32 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC750P10LMATMA1
- Codice RS:
- 285-054
- Codice costruttore:
- ISC750P10LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 285-054
- Codice costruttore:
- ISC750P10LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -32A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -32A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un MOSFET di potenza avanzato progettato per un'efficienza e una versatilità ottimali nelle applicazioni industriali. Caratterizzato da una robusta configurazione a canale P, offre una resistenza di inserzione eccezionalmente bassa e può gestire un'elevata corrente di drenaggio, rendendolo adatto a una serie di circuiti elettronici esigenti. L'incorporazione dell'azionamento del gate a livello logico consente di operare senza problemi nei sistemi a bassa tensione. Con le sue eccellenti prestazioni termiche e l'affidabile valore nominale a valanga, questo transistor di potenza è ideale per le applicazioni che richiedono durata e affidabilità sotto tensione continua. La conformità alla direttiva RoHS e la placcatura senza alogeni ne migliorano ulteriormente l'idoneità per progetti attenti all'ambiente, offrendo ai produttori la massima tranquillità in un mercato competitivo.
Prestazioni di commutazione eccezionali per la gestione dell'alimentazione
100% testato in valanga per l'affidabilità
Bassa resistenza termica per un'efficace dissipazione del calore
Unità di livello logico per una facile interfaccia del microcontrollore
Piombatura senza Pb per la conformità ambientale
Prestazioni costanti in un ampio intervallo di temperature
Ottimizzato per applicazioni ad alta velocità
Supporta correnti nominali di impulso elevate
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