MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 75 mΩ Miglioramento, -32 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC750P10LMATMA1

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Codice RS:
285-054
Codice costruttore:
ISC750P10LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un MOSFET di potenza avanzato progettato per un'efficienza e una versatilità ottimali nelle applicazioni industriali. Caratterizzato da una robusta configurazione a canale P, offre una resistenza di inserzione eccezionalmente bassa e può gestire un'elevata corrente di drenaggio, rendendolo adatto a una serie di circuiti elettronici esigenti. L'incorporazione dell'azionamento del gate a livello logico consente di operare senza problemi nei sistemi a bassa tensione. Con le sue eccellenti prestazioni termiche e l'affidabile valore nominale a valanga, questo transistor di potenza è ideale per le applicazioni che richiedono durata e affidabilità sotto tensione continua. La conformità alla direttiva RoHS e la placcatura senza alogeni ne migliorano ulteriormente l'idoneità per progetti attenti all'ambiente, offrendo ai produttori la massima tranquillità in un mercato competitivo.

Prestazioni di commutazione eccezionali per la gestione dell'alimentazione

100% testato in valanga per l'affidabilità

Bassa resistenza termica per un'efficace dissipazione del calore

Unità di livello logico per una facile interfaccia del microcontrollore

Piombatura senza Pb per la conformità ambientale

Prestazioni costanti in un ampio intervallo di temperature

Ottimizzato per applicazioni ad alta velocità

Supporta correnti nominali di impulso elevate

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