MOSFET Infineon, canale Tipo P 150 V, 160 mΩ Miglioramento, -22 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC16DP15LMATMA1
- Codice RS:
- 284-786
- Codice costruttore:
- ISC16DP15LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 284-786
- Codice costruttore:
- ISC16DP15LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Tipo di package | PG-TDSON-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 160mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Tipo di package PG-TDSON-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon, dotato di transistor di potenza OptiMOS, è progettato per offrire prestazioni eccezionali in una vasta gamma di applicazioni industriali. Con la sua architettura di canale P avanzata e la struttura robusta, garantisce l'affidabilità anche in condizioni difficili. Con una tensione di breakdown di 150 V, questo transistor è progettato per gestire efficacemente tensioni significative. La bassa resistenza di accensione contribuisce a migliorare l'efficienza, rendendolo un componente prezioso nei sistemi di gestione dell'alimentazione. Grazie all'allineamento con gli standard di conformità RoHS, questo transistor sottolinea ulteriormente il suo impegno per la sostenibilità ambientale, rendendolo una scelta eccellente per progetti lungimiranti.
Resistenza molto bassa per garantire l'efficienza
100% testato in valanga per l'affidabilità
Compatibilità con l'azionamento di gate a livello logico
Le eccellenti prestazioni termiche riducono il calore
Conformità alla direttiva RoHS per un maggiore rispetto dell'ambiente
Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'affidabilità
Design compatto per configurazioni adattabili
Placcatura al piombo senza alogeni per la sicurezza ambientale
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