MOSFET Infineon, canale Tipo P 150 V, 160 mΩ Miglioramento, -22 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC16DP15LMATMA1

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Codice RS:
284-785
Codice costruttore:
ISC16DP15LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon, dotato di transistor di potenza OptiMOS, è progettato per offrire prestazioni eccezionali in una vasta gamma di applicazioni industriali. Con la sua architettura di canale P avanzata e la struttura robusta, garantisce l'affidabilità anche in condizioni difficili. Con una tensione di breakdown di 150 V, questo transistor è progettato per gestire efficacemente tensioni significative. La bassa resistenza di accensione contribuisce a migliorare l'efficienza, rendendolo un componente prezioso nei sistemi di gestione dell'alimentazione. Grazie all'allineamento con gli standard di conformità RoHS, questo transistor sottolinea ulteriormente il suo impegno per la sostenibilità ambientale, rendendolo una scelta eccellente per progetti lungimiranti.

Resistenza molto bassa per garantire l'efficienza

100% testato in valanga per l'affidabilità

Compatibilità con l'azionamento di gate a livello logico

Le eccellenti prestazioni termiche riducono il calore

Conformità alla direttiva RoHS per un maggiore rispetto dell'ambiente

Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'affidabilità

Design compatto per configurazioni adattabili

Placcatura al piombo senza alogeni per la sicurezza ambientale

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