MOSFET Infineon, canale N 100 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 164 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC035N10NM5LF2ATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona come un dispositivo di potenziamento a canale N adatto per la gestione di correnti di drenaggio consistenti in assemblaggi elettronici compatti. Il componente è costruito per funzionare in un'ampia gamma termica e supporta configurazioni montate su scheda che richiedono basse perdite di conduzione e una gestione robusta della potenza.

• Rds(on) molto bassa di 3,5 mΩ riduce le perdite di conduzione durante correnti elevate
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 164 A supporta condizioni di carico impegnative
• La tensione nominale di 100 V consente l'uso in stadi di potenza a media tensione
• La dissipazione di potenza di 217 W consente un carico termico prolungato in spazi ristretti
• La tolleranza del gate di ±20 V si adatta a schemi di azionamento comuni con margine
• La tensione diretta rapida di 1,2 V riduce al minimo la caduta della conduzione di commutazione

• Adatto per convertitori di potenza automobilistici che operano a temperature estreme
• Ideale per gli inverter dei motori di trazione che richiedono un'elevata corrente continua
• Utilizzato con convertitori CC-CC che richiedono interruttori a bassa perdita di conduzione
• Può essere utilizzato per gli stadi di alimentazione del server in cui il montaggio superficiale compatto è importante
• Adatto per sistemi di gestione delle batterie in installazioni ad alta potenza

È fornito in un contenitore PG-TDSON-8 e richiede modelli di messa a terra a montaggio superficiale compatibili con questo tampone termico e ingombro a otto pin.

L'intervallo di funzionamento consentito va da -55 °C fino a 175 °C, consentendo il funzionamento sia in ambienti sotto zero che a temperatura elevata senza declassamento al di fuori della normale pratica di progettazione termica.

Il gate deve essere limitato a un massimo di 20 V

Il dispositivo è conforme alle specifiche RoHS, IEC 61249-2-21 e JEDEC relative alle definizioni di materiali e contenitori.