MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 164 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC035N10NM5LF2ATMA1

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Codice RS:
349-141
Codice costruttore:
ISC035N10NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

164A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-TDSON-8

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

217W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

Paese di origine:
CN
Il FET lineare OptiMOS 5 2 Infineon da 100 V è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato specificamente per applicazioni hot-swap, di protezione delle batterie e di fusibili elettronici. Presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che contribuisce a ridurre al minimo le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza. Il MOSFET offre anche un'ampia area di funzionamento sicura (SOA), garantendo prestazioni affidabili in diverse condizioni operative. Queste caratteristiche ne fanno la scelta ideale per le applicazioni che richiedono una gestione dell'alimentazione robusta, efficiente e affidabile.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

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