MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 80 mΩ Miglioramento, -19.6 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC800P06LMATMA1

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Codice RS:
285-057
Codice costruttore:
ISC800P06LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-19.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo di package

PG-TDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS che ridefinisce l'efficienza grazie alla sua superiore tecnologia a canale P progettata per applicazioni ad alte prestazioni. Con una tensione di rottura di 60 V, è stato progettato per un uso industriale robusto, garantendo prestazioni affidabili in condizioni operative variabili. L'esclusivo package SuperSO8 facilita un percorso termico ottimale per la dissipazione del calore, migliorando l'affidabilità e la durata del dispositivo. Questo transistor è sottoposto a test rigorosi, tra cui il test a valanga al 100%, che ne garantiscono la conformità ai più elevati standard di affidabilità e qualità. Con una bassa resistenza di accensione, leader nel settore, riduce significativamente le perdite di potenza, rendendolo una scelta eccellente per i progetti attenti all'energia.

La resistenza molto bassa migliora l'efficienza

100% testato in valanga per l'affidabilità

Placcatura al piombo senza Pb per la conformità

La costruzione senza alogeni favorisce l'ecocompatibilità

Funzionamento a livello logico per un facile interfacciamento

Adatto a diverse applicazioni industriali

Le eccellenti caratteristiche termiche garantiscono l'affidabilità

Progettazione della modalità di potenziamento per prestazioni stabili

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