MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 24 mΩ Miglioramento, -59 A, 8 Pin, PG-TDSON-8, Superficie ISC240P06LMATMA1
- Codice RS:
- 285-053
- Codice costruttore:
- ISC240P06LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 285-053
- Codice costruttore:
- ISC240P06LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -59A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Tipo di package | PG-TDSON-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 24mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id -59A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Tipo di package PG-TDSON-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 24mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un MOSFET a canale P all'avanguardia, progettato per offrire prestazioni eccezionali nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione. Caratterizzato da una tensione nominale di 60 V, eccelle per le sue caratteristiche di alta efficienza e bassa resistenza, garantendo una perdita di potenza minima durante il funzionamento. Il suo design robusto è testato al 100% contro le valanghe e garantisce la massima tranquillità ai tecnici che cercano soluzioni affidabili in ambienti difficili. Il transistor funziona a livello logico, rendendolo adatto a diversi scenari di controllo nelle applicazioni industriali.
Stampato ad iniezione per la gestione termica
Convalidato secondo gli standard JEDEC per l'affidabilità
Conformi alla direttiva RoHS per il rispetto dell'ambiente
Materiali privi di alogeni per la sostenibilità
Ottimizzato per l'efficienza di commutazione ad alta velocità
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