MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.55 mΩ Miglioramento, 275 A, 8 Pin, PG-TDSON-8 FL, Superficie ISC025N08NM5LF2ATMA1

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Codice RS:
348-846
Codice costruttore:
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

275A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TDSON-8 FL

Serie

OptiMOS-TM5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

217W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
AT
Il FET lineare Infineon OptiMOS 5 da 60 V in un package PQFN 5x6 mm (SuperSO8), che offre la più bassa resistenza di stato di accensione del settore, RDS(on), e un'ampia area operativa sicura (SOA) a 25˚C e 125˚C. Il FET lineare OptiMOS è un approccio rivoluzionario che risolve il compromesso tra resistenza di stato e capacità di funzionamento lineare.

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