MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 1.55 mΩ Miglioramento, 275 A, 8 Pin, PG-TDSON-8 FL, Superficie ISC025N08NM5LF2ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,16 €

(IVA esclusa)

9,96 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,08 €8,16 €
20 - 1983,665 €7,33 €
200 - 9983,385 €6,77 €
1000 - 19983,145 €6,29 €
2000 +2,815 €5,63 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
348-846
Codice costruttore:
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

275A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS-TM5

Tipo di package

PG-TDSON-8 FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

217W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
AT
Il FET lineare Infineon OptiMOS 5 da 60 V in un package PQFN 5x6 mm (SuperSO8), che offre la più bassa resistenza di stato di accensione del settore, RDS(on), e un'ampia area operativa sicura (SOA) a 25˚C e 125˚C. Il FET lineare OptiMOS è un approccio rivoluzionario che risolve il compromesso tra resistenza di stato e capacità di funzionamento lineare.

Corrente di spunto elevata abilitato

Avvio rapido e tempi di inattività ridotti

Ingombro standard del settore

Link consigliati