MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.05 mΩ Miglioramento, 275 A, 8 Pin, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 214-8969
- Codice costruttore:
- BSC010N04LSIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
4635,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,927 € | 4.635,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8969
- Codice costruttore:
- BSC010N04LSIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 275A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.05mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 139W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 87nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5.35mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Larghezza | 6.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 275A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.05mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 139W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 87nC | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5.35mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Larghezza 6.1 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Le nuove famiglie di prodotti Infineon 40V e 60V offrono non solo la R DS(on) più bassa del settore, ma anche un comportamento di commutazione perfetto per le applicazioni di commutazione rapida. R DS(on) inferiore del 15% e figura di merito inferiore del 31% (R DS(on) x Q g) rispetto ai dispositivi alternativi sono stati realizzati mediante Advanced Thin wafer Technology. I prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono progettati per soddisfare e superare i requisiti di efficienza energetica e densità di potenza.
Diodo integrato monolitico simile a Schottky
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Testato con effetto valanga al 100%
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