MOSFET Infineon, canale N, 0,00105 O, 275 A, TDSON-8 FL, Montaggio superficiale

Le nuove famiglie di prodotti Infineon 40V e 60V offrono non solo la R DS(on) più bassa del settore, ma anche un comportamento di commutazione perfetto per le applicazioni di commutazione rapida. R DS(on) inferiore del 15% e figura di merito inferiore del 31% (R DS(on) x Q g) rispetto ai dispositivi alternativi sono stati realizzati mediante Advanced Thin wafer Technology. I prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono progettati per soddisfare e superare i requisiti di efficienza energetica e densità di potenza.

Diodo integrato monolitico simile a Schottky
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Testato con effetto valanga al 100%