MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2220,00 €

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Codice RS:
165-6880
Codice costruttore:
BSC035N04LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.84V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V


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MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

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Transistor MOSFET, Infineon


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