MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1480,00 €

(IVA esclusa)

1805,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 10.000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,296 €1.480,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-8973
Codice costruttore:
BSC0502NSIATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.65V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.35 mm

Lunghezza

5.49mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Diodo integrato monolitico simile a Schottky

Ottimizzato per convertitori buck ad alte prestazioni

Testato con effetto valanga al 100%

Link consigliati