MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 52 mΩ Miglioramento, 21 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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5000 +0,39 €1.950,00 €

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Codice RS:
165-6655
Codice costruttore:
BSC520N15NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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