MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 52 mΩ Miglioramento, 21 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ520N15NS3GATMA1
- Codice RS:
- 754-5389
- Codice costruttore:
- BSZ520N15NS3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
4,08 €
(IVA esclusa)
4,98 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 17.832 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,04 € | 4,08 € |
| 20 - 48 | 1,885 € | 3,77 € |
| 50 - 98 | 1,75 € | 3,50 € |
| 100 - 198 | 1,625 € | 3,25 € |
| 200 + | 1,49 € | 2,98 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 754-5389
- Codice costruttore:
- BSZ520N15NS3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo di package | TSDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 52mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 57W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo di package TSDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 52mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 57W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori
Transistor MOSFET, Infineon
Link consigliati
- MOSFET Infineon 52 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 52 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 52 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSC520N15NS3GATMA1
- Transistor di potenza Infineon 52 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 53 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 165 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 7.8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
