MOSFET Infineon, canale N, 52 mΩ, 21 A, TSDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 754-5389
Codice costruttore:: BSZ520N15NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 52 mΩ, 21 A, TSDSON, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 754-5389
Codice costruttore:: BSZ520N15NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET N-ch 150V 21A OptiMOS3 TSDSON8
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di package	TSDSON
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	52 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	57 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	8,7 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.4mm
Larghezza	3.4mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 52 mΩ, 21 A, TSDSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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