Transistor di potenza Infineon, canale N 200 V, 52 mΩ Miglioramento, 26 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie

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Codice RS:
349-157
Codice costruttore:
ISZ520N20NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

PG-TSDSON-8FL

Serie

ISZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET OptiMOS 6 Infineon definisce il nuovo standard tecnologico. Risponde alle esigenze di alta densità di potenza, alta efficienza e alta affidabilità. La tecnologia OptiMOS 6 da 200 V è stata progettata per ottenere prestazioni ottimali in applicazioni di azionamento del motore come LEV, carrelli elevatori e droni. Il nuovo OptiMOS 6 è caratterizzato da un valore di RDS(on) leader del settore, da una migliore capacità di commutazione e di condivisione della corrente, che consente un'elevata densità di potenza, un minore parallelismo e prestazioni EMI eccellenti.

Basse perdite di conduzione

Basse perdite di commutazione

Funzionamento stabile con EMI migliorata

È necessario un minore parallelismo

Migliore condivisione della corrente in caso di parallelismo

Prodotto eco-compatibile

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