MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 106 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie BSZ0902NSATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2185,00 €

(IVA esclusa)

2665,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 26 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,437 €2.185,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-5247
Codice costruttore:
BSZ0902NSATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

106A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-TSDSON-8FL

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un MOSFET di potenza a canale N. Questo MOSFET ha un'eccellente carica del gate. È qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target ed è testato al 100% contro le valanghe. Si tratta di un convertitore buck ottimizzato per prestazioni elevate.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Resistenza all'accensione molto bassa

Superiore resistenza termica

Link consigliati