MOSFET Infineon, canale N 30 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 106 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie BSZ0902NSATMA1
- Codice RS:
- 273-5247
- Codice costruttore:
- BSZ0902NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 273-5247
- Codice costruttore:
- BSZ0902NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 106A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | PG-TSDSON-8FL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 26nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 106A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package PG-TSDSON-8FL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima drain-source 30 V, corrente di drenaggio continua massima 106 A - BSZ0902NSATMA1
Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N in modalità di potenziamento progettato per l'uso a montaggio superficiale in funzioni di commutazione ad alta corrente e conversione di potenza. Supporta ampie temperature d'esercizio ed è adatto per progetti che richiedono una gestione termica robusta e perdite di conduzione ridotte. Il dispositivo è conforme alle norme sui materiali e ambientali pertinenti ed è configurato per l'integrazione su circuito stampato a basso profilo.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassa resistenza di accensione di 3,5 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La dissipazione di potenza di 48 W consente una gestione prolungata del carico termico
• La carica gate tipica di 26 nC consente una commutazione più rapida con requisiti di azionamento controllati
• La tensione massima del gate di 20 V fornisce un margine per i progetti di gate drive
• Il funzionamento nominale da -55 °C a 150 °C supporta ampi ambienti termici
• La dissipazione di potenza di 48 W consente una gestione prolungata del carico termico
• La carica gate tipica di 26 nC consente una commutazione più rapida con requisiti di azionamento controllati
• La tensione massima del gate di 20 V fornisce un margine per i progetti di gate drive
• Il funzionamento nominale da -55 °C a 150 °C supporta ampi ambienti termici
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente e stadi di potenza
• Ideale per la rettifica sincrona nei circuiti di alimentazione
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono una corrente continua consistente
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la protezione della distribuzione
• Utilizzato con gruppi compatti a montaggio superficiale su schede a gestione termica
• Ideale per la rettifica sincrona nei circuiti di alimentazione
• Utilizzato per le fasi di azionamento del motore che richiedono una corrente continua consistente
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la protezione della distribuzione
• Utilizzato con gruppi compatti a montaggio superficiale su schede a gestione termica
Quale contenitore è fornito per il montaggio superficiale a basso profilo?
È fornito in un contenitore PG-TSDSON-8FL progettato per il montaggio superficiale.
In che modo il componente gestisce lo stress termico a breve termine?
Il dispositivo consente una dissipazione di potenza massima di 48 W che ne regola la resistenza termica sotto carico quando viene applicato un adeguato raffreddamento del circuito stampato.
Quali sono i limiti elettrici per i terminali gate e drain?
Il gate può essere azionato fino a 20 V mentre il drain-to-source resiste fino a 30 V.
Questa parte è destinata ad applicazioni specifiche per il settore automobilistico?
Non è classificato come di tipo automobilistico, ma è conforme alla direttiva RoHS e agli standard ambientali e dei materiali IEC e DIN specificati.
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