Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 135 V, 14.3 mΩ Miglioramento, 54 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie

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Codice RS:
349-155
Codice costruttore:
ISZ143N13NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

135V

Serie

ISZ

Tipo di package

PG-TSDSON-8FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Dissipazione di potenza massima Pd

95W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza OptiMOS 6 Infineon da 135 V di livello normale in contenitore PQFN 3,3x3,3. OptiMOS 6 da 135 V si rivolge ad applicazioni di azionamento di motori ad alta potenza come LEV, carrelli elevatori elettronici, utensili elettrici e da giardinaggio, ma anche ad applicazioni UPS che utilizzano prevalentemente batterie da 72 a 84 V. Questo prodotto colma efficacemente il divario tra i MOSFET da 120 V e 150 V oltre a offrire miglioramenti significativi in termini di RDS(on) e di costo, contribuendo a migliorare l'efficienza del sistema.

Riduzione dei costi del sistema

È necessario un minore parallelismo

Riduzione dell'overshoot VDS e delle perdite di commutazione

Design con maggiore densità di potenza

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