MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 142 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie BSZ0901NSIATMA1

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Codice RS:
273-5245
Codice costruttore:
BSZ0901NSIATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

142A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TSDSON-8FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

41nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un MOSFET di potenza a canale N. Questo MOSFET è dotato di un diodo tipo Schottky monolitico integrato. È qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target ed è testato al 100% contro le valanghe. SyncFET ottimizzato per convertitore buck ad alte prestazioni.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Resistenza all'accensione molto bassa

Superiore resistenza termica

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