MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie ISZ019N03L5SATMA1

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Codice RS:
273-5358
Codice costruttore:
ISZ019N03L5SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-TSDSON-8FL

Serie

ISZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC Standard, RoHS

Il MOSFET di potenza Infineon è un convertitore buck ottimizzato per prestazioni elevate. Questo MOSFET di potenza ha un'eccellente carica del gate. Ha una resistenza all'accensione molto bassa e è qualificato secondo lo standard JEDEC.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Superiore resistenza termica

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