MOSFET di potenza OptiMOSTM Infineon, canale Tipo N 30 V, 4 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:
273-3043
Codice costruttore:
ISZ040N03L5ISATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza OptiMOSTM

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

ISZ

Tipo di package

PG-TSDSON-8FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.7V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC, IEC61249‑2‑21

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza a bassa tensione Infineon offrono un'ampia accessibilità e un rapporto prezzo/prestazioni competitivo.

Consente soluzioni economiche

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