MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 81 mΩ Miglioramento, -19.5 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8FL, Superficie ISZ810P06LMATMA1

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Codice RS:
284-805
Codice costruttore:
ISZ810P06LMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-19.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Tipo di package

PG-TSDSON-8FL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

81mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza avanzato che offre prestazioni e affidabilità eccezionali, il che lo rende una scelta ideale per le applicazioni industriali più impegnative. La serie di transistor di potenza OptiMOS di Infineon si distingue per l'efficienza energetica grazie alle sue caratteristiche di bassa resistenza all'accensione, garantendo una perdita di energia minima durante il funzionamento. Il suo robusto design è completamente qualificato in base agli standard JEDEC, offrendo tranquillità per gli ingegneri che cercano componenti durevoli. Funzionando a 60 V, è su misura per applicazioni ad alte prestazioni mantenendo al contempo una bassa resistenza termica, consentendo un'efficace gestione del calore.

La configurazione del canale P ottimizza il controllo della corrente

Compatibilità a livello logico per una facile interfacciamento

Valanga testata per l'affidabilità sotto stress

La placcatura in piombo senza piombo è conforme alle normative ambientali

La struttura senza alogeni supporta una produzione più pulita

Caratteristiche termiche migliorate per un funzionamento uniforme

Corrente di scarico continua elevata per diverse applicazioni

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