MOSFET Infineon, canale N, 90 A, TSDSON, Montaggio superficiale

MOSFET per uso automobilistico Infineon 60V, N-CH, 5 mohm, con tecnologia OptiMOS 5 per MOSFET 60V nel contenitore standard industriale con ingombro ridotto S3O8 3 mm x 3 mm con prestazioni leader del settore che fornisce una bassa capacità RDSon, QG e gate e riduce al minimo le perdite di conduzione e commutazione.

MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche
Canale N, modalità potenziata, livello logico
Qualifica estesa oltre AEC-Q101
Test elettrici migliorati
Struttura robusta
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
Testato al 100% con effetto valanga