MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 33 mΩ Miglioramento, 24 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie ISZ330N12LM6ATMA1

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Codice RS:
284-796
Codice costruttore:
ISZ330N12LM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo di package

PG-TSDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

43W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è progettato per soddisfare le rigorose esigenze delle moderne applicazioni elettroniche, vantando un'efficienza e un'affidabilità ottimali. La tecnologia Advanced OptiMOS 6 consente a questo componente di fornire prestazioni eccezionali in varie condizioni operative, garantendo che rimanga una scelta TOP per ingegneri e sviluppatori. Il suo design robusto riflette un attento equilibrio tra elevate velocità di commutazione e bassa resistenza di inserzione, rendendolo un candidato eccellente per applicazioni ad alta frequenza come il raddrizzamento sincrono e la gestione dell'alimentazione. Il transistor è particolarmente adatto agli ambienti industriali, con un rating termico che supporta sia ampi intervalli operativi che cicli di lavoro intensivi.

Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza

Placcatura al piombo senza Pb per la conformità

Senza alogeni per la sostenibilità ambientale

Classificato MSL 1 per un montaggio affidabile

Efficienza termica superiore con bassa resistenza di accensione

Eccellente carica del gate per una commutazione più rapida

Completamente qualificato secondo gli standard JEDEC

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