MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 10.6 mΩ Miglioramento, 62 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie ISZ106N12LM6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
285-061
Codice costruttore:
ISZ106N12LM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo di package

PG-TSDSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

94W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza che si distingue nelle applicazioni ad alte prestazioni, progettato per soddisfare le esigenze dei moderni sistemi elettronici. La sua tecnologia avanzata di canale N fornisce notevole efficienza e affidabilità, il che lo rende ideale per le operazioni di commutazione ad alta frequenza. Realizzato per i professionisti del settore, questo prodotto combina una bassa resistenza all'accensione con caratteristiche superiori di carica del gate. Ciò lo rende adatto al raddrizzamento sincrono e alle applicazioni industriali.

La resistenza molto bassa aumenta l'efficienza

Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza

Elevato indice di energia da valanga per garantire l'affidabilità

Eccellente carica del cancello per una risposta rapida

Placcatura al piombo senza Pb per la conformità

Funziona da 55°C a 175°C

MSL 1 classificato per facilità di produzione

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