MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 72 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie ISZ056N03LF2SATMA1

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Codice RS:
348-900
Codice costruttore:
ISZ056N03LF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.4nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 Infineon da 30 V in confezione PQFN 3,3 x 3,3. Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 a 30 V di Infineon è caratterizzato da una RDS(on) di 5,6 mOhm, la migliore della categoria, in un pacchetto PQFN 3,3 x 3,3. Questo prodotto si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, dalla bassa all'alta frequenza di commutazione.

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