MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 72 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie ISZ056N03LF2SATMA1

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Codice RS:
348-900
Codice costruttore:
ISZ056N03LF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 Infineon da 30 V in confezione PQFN 3,3 x 3,3. Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 a 30 V di Infineon è caratterizzato da una RDS(on) di 5,6 mOhm, la migliore della categoria, in un pacchetto PQFN 3,3 x 3,3. Questo prodotto si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, dalla bassa all'alta frequenza di commutazione.

Prodotti di uso generale

Eccellente robustezza

Rapporto prezzo/prestazioni superiore

Ampia disponibilità presso i distributori

Pacchetti e pin out standard

Elevati standard di produzione e fornitura

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