MOSFET Infineon, canale N 200 V Miglioramento, 11.3 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie

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Codice RS:
273-5250
Codice costruttore:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

PG-TSDSON-8

Serie

BSZ12DN20NS3 G

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Larghezza

40mm

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC1

Lunghezza

40mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un MOSFET di potenza a canale N. Questo MOSFET ha un'eccellente carica del gate. È qualificato secondo JEDEC per applicazioni target e temperatura d'esercizio di 150 gradi Celsius. Si tratta di una conversione cc-ccc ottimizzata.

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Resistenza all'accensione molto bassa

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