MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PG-TSDSON-8, Superficie ISZ113N10NM5LF2ATMA1

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Codice RS:
349-154
Codice costruttore:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il FET lineare OptiMOS Infineon è un approccio rivoluzionario che risolve il compromesso tra resistenza on-state e capacità di modalità lineare. In combinazione con il pacchetto PQFN 3,3x3,3 a basso costo e basso profilo, è destinato all'avvio graduale e alla limitazione della corrente nelle applicazioni Power over Ethernet (PoE).

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