MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IAUT300N08S5N014ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0893
Codice costruttore:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

IAUT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon è stato progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche. Questo design planare cellulare dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza in stato attivo per area di silicio.

Canale N - Modalità potenziata

Certificato AEC

MSL1 fino a 260 °C picco di riflusso

Temperatura d'esercizio 175 °C

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