MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.80 mΩ Miglioramento, 120 A, TO-263, Superficie IPB120N04S402ATMA1
- Codice RS:
- 259-1550
- Codice costruttore:
- IPB120N04S402ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
6,45 €
(IVA esclusa)
7,87 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2996 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,225 € | 6,45 € |
| 20 - 48 | 2,91 € | 5,82 € |
| 50 - 98 | 2,74 € | 5,48 € |
| 100 - 198 | 2,67 € | 5,34 € |
| 200 + | 2,595 € | 5,19 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1550
- Codice costruttore:
- IPB120N04S402ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie iPB, tensione drain-source 40 V, corrente di drenaggio continua 120 A - IPB120N04S402ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo a canale N con modalità di potenziamento ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto per ambienti difficili ed è conforme alle direttive ambientali del settore e agli standard di resistenza automobilistica.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il basso valore di Rds(on) di 1.80 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La tensione nominale di 40 V supporta le fasi di potenza a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 120 A consente l'erogazione di correnti elevate
• Il pacchetto superficiale TO-263 semplifica la gestione termica
• L'intervallo da -55 °C a +175 °C supporta il funzionamento a temperature estreme
• La tensione nominale di 40 V supporta le fasi di potenza a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 120 A consente l'erogazione di correnti elevate
• Il pacchetto superficiale TO-263 semplifica la gestione termica
• L'intervallo da -55 °C a +175 °C supporta il funzionamento a temperature estreme
Applicazioni
• Adatto per moduli di conversione di potenza per uso automobilistico
• Ideale per le fasi di azionamento dei motori industriali
• Utilizzato con sistemi di distribuzione CC ad alta corrente
• Può essere utilizzato per la commutazione di potenza in ambienti difficili
• Ideale per le fasi di azionamento dei motori industriali
• Utilizzato con sistemi di distribuzione CC ad alta corrente
• Può essere utilizzato per la commutazione di potenza in ambienti difficili
Quale stile di montaggio richiede?
È progettato per il montaggio superficiale nel formato TO-263.
Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?
È progettato per funzionare da -55 °C fino a +175 °C.
Soddisfa gli standard di qualificazione del settore automobilistico?
È conforme alla qualifica automobilistica AEC-Q101.
Quale configurazione e modalità di canale utilizza?
Si tratta di un transistor a canale N in modalità di potenziamento.
Esistono restrizioni ambientali per i suoi materiali?
È conforme alla direttiva RoHS.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 120 A Superficie
- MOSFET Infineon 120 A Superficie
- MOSFET Infineon 120 A Superficie IPB120N06S403ATMA2
- MOSFET Infineon 4.8 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 4.8 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB100N12S305ATMA1
- MOSFET Infineon 180 A, TO-263
- MOSFET Infineon 180 A, TO-263 IPB180N06S4H1ATMA2
- MOSFET Infineon 120 A Superficie
